时间：2025/6/16 19:42:25
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HUF75321D3S 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、电机驱动以及各种功率转换应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK (TO-263)，提供卓越的散热性能和紧凑的安装解决方案。其出色的电气特性和可靠性使得 HUF75321D3S 成为工业和消费电子领域中广泛使用的关键元件。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
总栅极电荷（典型值）：130nC
输入电容（典型值）：2330pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：DPAK (TO-263)
HUF75321D3S 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频操作环境。
3. 高额定电流能力，支持大功率负载需求。
4. 耐热增强型封装，确保在恶劣条件下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
HUF75321D3S 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 电池管理系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各种需要高效功率传输的应用场景。
HUF75321D3L, FDP5800, IRFZ44N
