类型：MOS FET继电器（无触点）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　连续通态电流（ION）：780 mA
　　导通电阻（RON）：典型值9 Ω，最大值12 Ω
　　动作时间（tON）：0.5 ms（典型值）
　　释放时间（tOFF）：0.5 ms（典型值）
　　隔离电压：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SSIP（缩小尺寸单列直插式封装），4引脚
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　输入LED波长：近红外区域（约940 nm）
　　绝缘材料：满足UL、CSA、VDE等国际安全标准

G3VM-61GR1的核心优势在于其优异的电气性能与物理紧凑性之间的完美平衡。该器件采用了高效的光电转换结构，通过输入侧的红外LED激发输出侧的光电探测器阵列，进而驱动一对互补型MOSFET实现双向开关功能。这种设计不仅确保了高达5000 Vrms的电气隔离能力，还支持交流和直流负载的切换，极大提升了应用灵活性。其导通电阻低至9 Ω（典型值），能够在780 mA的连续电流下保持较低的功耗和温升，适用于电池供电或热管理严格的系统。
　　该光继电器具有极快的响应速度，动作和释放时间均为0.5毫秒，显著优于传统电磁继电器，可满足高速信号切换需求，如自动测试设备（ATE）中的多路复用控制。同时，由于没有机械部件，G3VM-61GR1不受振动、冲击或接触弹跳的影响，可在恶劣工业环境中稳定运行。其宽工作温度范围（-40°C至+110°C）使其适用于极端环境下的应用，例如户外通信基站或工业加热控制系统。
　　封装方面，G3VM-61GR1采用SSIP-4封装，体积小、重量轻，适合高密度贴片组装工艺，兼容回流焊和波峰焊流程，有助于提高生产效率并降低制造成本。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。其输入侧驱动简单，可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，进一步简化系统设计。

G3VM-61GR1广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、I/O接口板以及传感器信号切换电路中，实现对现场设备的安全控制与隔离。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-61GR1凭借其快速响应和低导通电阻特性，能够精确地切换模拟或数字信号路径，保证测量精度和系统稳定性。
　　在医疗电子设备中，该光继电器可用于病人监测仪器、诊断设备和便携式医疗装置，提供必要的电气隔离以保障患者安全。其无噪声操作和长寿命特性特别适合这类对安全性和可靠性要求极高的应用场景。在通信系统中，G3VM-61GR1可用于信号路由、线路切换和电源管理模块，支持高频信号的稳定传输。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电池管理系统、智能电表、安防系统以及楼宇自动化控制网络。由于其支持直流和交流负载切换，还可用于照明控制、小型电机驱动和加热元件的通断控制。总之，任何需要替代传统电磁继电器以提升系统寿命、减小体积或提高开关速度的应用，G3VM-61GR1都是一个理想的选择。

G3VM-61GR2
　　G3VM-41GR1
　　TLP222G
　　ADG419D
　　ISQ052