类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：8.7V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ VRWM = 7V

BZT52B8V7S作为一款高性能表面贴装齐纳二极管，具备出色的电压稳定性和热稳定性。其核心特性之一是在额定测试电流5mA下提供精确的8.7V齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，确保在多种应用场景中实现可靠的电压参考。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的齐纳阻抗（典型值低于35Ω），这意味着在负载变化时能够维持更稳定的输出电压，减少电压波动对后续电路的影响。此外，低动态电阻提升了其在瞬态条件下的响应能力，适合用于抑制电压尖峰和噪声干扰。
　　该器件的最大功率耗散为500mW，在SOD-323小型封装中实现了较高的功率密度，适合空间受限的设计。尽管封装小巧，但通过优化内部结构和材料选择，有效提升了散热效率，从而保证长时间工作的可靠性。BZT52B8V7S的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境下保持性能稳定，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等严苛应用领域。
　　另一个重要特性是其低反向漏电流，在接近击穿电压前的漏电流小于1μA，这有助于降低待机功耗，提高系统能效。特别是在电池供电设备中，这一特性可以显著延长电池寿命。同时，该器件响应速度快，能够在微秒级时间内进入稳压状态，适用于高频开关电源中的瞬态保护。SOD-323封装符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，兼容自动化贴片生产流程，有利于大规模制造。综合来看，BZT52B8V7S以其高精度、小体积和高可靠性，成为现代电子设计中理想的电压箝位与参考元件。

BZT52B8V7S广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，用于提供精确的基准电压或防止电压浪涌损坏敏感元件。在电源适配器、DC-DC转换器和LDO稳压器中，它常被用作反馈回路的电压参考源，以确保输出电压的稳定性。
　　此外，该器件也适用于信号调理电路，例如在模拟前端中对输入信号进行电平钳位，防止过高电压进入ADC或其他精密模拟芯片造成损坏。在工业控制系统中，BZT52B8V7S可用于传感器接口电路，为传感器供电提供稳定的偏置电压，提升测量精度。由于其良好的温度稳定性和宽工作温度范围，该器件同样适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ECU模块和车身控制单元，在高温环境下仍能保持可靠性能。
　　在通信设备中，该齐纳二极管可用于ESD保护和瞬态电压抑制，保护数据线路免受静电放电或雷击感应电压的损害。同时，由于其小型化封装特性，非常适合用于高密度印刷电路板设计，尤其是在空间受限的模块化组件中。另外，在测试与测量仪器中，BZT52B8V7S可作为校准电路的一部分，提供长期稳定的参考电压，确保测量结果的准确性。总之，该器件凭借其高精度、小尺寸和高可靠性，已成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

PME360-8.7-M3-7
　　MMSZ5246BT1G
　　5915-8.7V-LR1
　　SZMMSZ5246BT1G