时间：2025/5/12 16:29:10
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PQ200WNA1ZPH是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关速度，从而降低功耗并提高系统效率。它适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理场景。
型号：PQ200WNA1ZPH
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：8A（脉冲）
导通电阻(Rds(on))：0.2Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：25nC（典型值）
开关时间：开启时间=40ns，关断时间=15ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
PQ200WNA1ZPH具有以下显著特点：
1. 低导通电阻设计可有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度使其适用于高频开关应用。
3. 较高的最大漏源电压(Vds)允许其在高压环境下稳定运行。
4. 优化的热性能确保了长时间工作的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围使其适应各种严苛环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代绿色能源需求。
这款功率MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
5. 各种保护电路如过流保护、负载切换等。
PQ200WNA1ZP, IRF540N, FDP158N20AE
