IX2610VAZZ 时间：2025/8/27 21:40:54 阅读：23

IX2610VAZZ是一款由IXYS公司生产的高性能、双通道、高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片专为工业和功率电子应用设计，适用于需要高可靠性和高效率的场合，如电机控制、逆变器、电源转换系统和可再生能源系统等。IX2610VAZZ采用先进的高压集成电路（HVIC）技术制造，能够直接驱动高侧和低侧的MOSFET或IGBT器件，同时提供优良的电气隔离和抗干扰能力。

参数

工作电压范围：10V至20V
　　输出电流（峰值）：±4.0A（典型值）
　　传输延迟时间：110ns（最大值）
　　上升/下降时间：15ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：28引脚SSOP
　　高压侧浮动电压（VS）：最大+600V
　　输入逻辑兼容：TTL和CMOS兼容
　　欠压锁定（UVLO）功能：有
　　死区时间控制：无，需外部控制
　　驱动器类型：双通道、高侧/低侧

特性

IX2610VAZZ具有多项优异特性，使其在功率电子系统中表现出色。首先，其高输出驱动能力（±4A）能够快速驱动大功率MOSFET和IGBT，从而减少开关损耗并提高系统效率。其次，该驱动器集成了高侧浮动电源供电技术，支持高达600V的高压侧工作电压，适用于高电压应用场合。
　　芯片内置欠压锁定功能（UVLO），当电源电压低于安全阈值时，会自动关闭输出，防止器件在非理想条件下工作，从而提高系统稳定性。此外，IX2610VAZZ具有良好的抗dv/dt能力，可有效防止因高电压变化率引起的误触发问题，确保功率器件的安全运行。
　　该器件采用28引脚SSOP封装，体积小、便于PCB布局，并具有良好的散热性能。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器（如MCU、DSP、FPGA）连接。由于其高速传输特性（最大延迟110ns），IX2610VAZZ特别适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、全桥/半桥拓扑结构和电机驱动器。