FSH4913CAD 时间：2025/12/29 13:53:49 阅读：15

FSH4913CAD 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等场合，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性等特点。FSH4913CAD 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够提供高效能和低损耗的表现，适用于高频率开关应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：130A
　　导通电阻 Rds(on)：4.9mΩ（典型值）
　　栅极电荷 Qg：76nC（典型值）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

特性

FSH4913CAD 的核心特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作时的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频开关条件下保持稳定工作，并且具有良好的动态性能。此外，FSH4913CAD 具备较强的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。
　　在封装方面，TO-220 封装提供了良好的散热能力，并且与常见的功率器件封装兼容，便于安装和散热片设计。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗，使其适用于高频率开关应用。此外，FSH4913CAD 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，适用于多种控制方案。

应用

FSH4913CAD 广泛应用于多种电源管理系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于高效率、高功率密度的设计场合。在服务器电源、笔记本电脑适配器、电源管理模块以及工业控制系统中，FSH4913CAD 都是常见的选择。
　　此外，该 MOSFET 也适用于需要快速开关的场合，例如马达控制电路、逆变器以及 LED 照明驱动器。在汽车电子领域，该器件也可用于车载电源转换系统和电池管理系统中，满足汽车环境下的高可靠性要求。