DMHC6070LSD 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高效率并减少功耗。
该芯片主要以 N 沟道增强型 MOSFET 的形式存在,能够承受较高的电压和电流,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
型号:DMHC6070LSD
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):15W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
DMHC6070LSD 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 4mΩ,有助于降低导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高电流处理能力,最大漏极电流可达 70A,适合大功率应用场景。
4. 耐用性强,能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内稳定工作。
5. 提供优异的热性能,确保长时间运行时的可靠性。
6. 小型化封装设计,节省电路板空间,便于布局和集成。
7. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
DMHC6070LSD 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统及电池管理。
5. 高效照明系统的驱动电路。
6. 各种消费类电子产品的电源管理和功率转换模块。
DMHC6065LSD, IRF640, STP75NF06