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IRF7493TRPBF 发布时间 时间:2025/5/9 9:11:39 查看 阅读:3

IRF7493TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于高频、高效率的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
  这款 MOSFET 以其卓越的性能表现和可靠性而闻名,适用于需要高效能量转换和快速动态响应的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:125nC
  总电容:280pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7493TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,能够满足大功率应用的需求。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 超薄型封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
  6. 支持高频操作,适合开关电源及 DC-DC 转换器使用。
  7. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。

应用

IRF7493TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 降压和升压型 DC-DC 转换器。
  3. 电动工具、家用电器及其他设备中的电机驱动。
  4. 电池保护电路中的负载开关。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  7. 新能源汽车电子系统中的功率管理部分。

替代型号

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IRF7493TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 5.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs53nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1510pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7493PBFTRIRF7493TRPBF-NDIRF7493TRPBFTR-ND