时间：2025/4/25 16:07:10
阅读：9
251R15S8R2DV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合高电流密度的应用场景。该器件通过优化设计，能够承受较高的工作电压，并具备出色的热性能。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：16A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1200pF
开关速度：非常快
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
251R15S8R2DV4E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.2mΩ），有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3.电磁干扰。
4. 强大的抗雪崩能力，增强在异常条件下的可靠性。
5. 优异的热稳定性和耐热性能，确保在高温环境下. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片适用于多种工业和消费类电子领域，具体包括：
1. 开关电源适配器及充电器。
2. DC-DC 转换器与降压/升压电路。
3. 电动工具中的电机驱动控制。
4. LED 照明驱动电路。
5. 太阳能逆变器和其他绿色能源解决方案。
6. 汽车电子中的负载切换功能模块。
IRFR7904, FDP55N15E
