时间：2025/8/29 8:17:48
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SIR91-21C/TR9 是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：21A
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.032Ω（最大值）
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
SIR91-21C/TR9 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具备较高的电流承载能力，适合用于高功率密度设计。此外，其坚固的结构和宽广的工作温度范围使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用。TO-252封装形式也便于散热，提高了器件的热稳定性。
在性能方面，SIR91-21C/TR9能够在高温环境下维持稳定的电气性能，减少了系统设计中对散热器的依赖。其栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。此外，该MOSFET具备较高的耐用性和可靠性，适用于长时间运行的工业和汽车电子应用。
由于其优异的电气特性和热管理能力，SIR91-21C/TR9被广泛应用于电源转换器、电机控制、电池管理系统以及各类功率调节电路中。
SIR91-21C/TR9 MOSFET主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、LED照明驱动电路以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF3710
