时间：2025/8/1 14:36:50
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3DG40005AS-H-BD是一款由Triad Semiconductor开发的低噪声放大器（LNA）芯片，专门设计用于无线通信系统中的射频（RF）前端应用。该器件具有优异的噪声系数和高增益性能，适用于需要高灵敏度的无线接收器设计。它采用小型化的封装形式，便于在现代通信设备中集成。
频率范围：2400 MHz至2500 MHz
噪声系数：0.5 dB（典型值）
增益：15 dB（典型值）
输出IP3：25 dBm（典型值）
工作电压：3.3 V
工作电流：15 mA
输入/输出阻抗：50 Ω
3DG40005AS-H-BD具有多个显著的性能特点，包括低噪声系数、高增益和良好的线性度。该器件的设计优化了在2.4 GHz至2.5 GHz频段内的性能，非常适合用于Wi-Fi、蓝牙和其他无线通信协议的接收链路。其高增益特性可有效提高接收器的灵敏度，同时保持低功耗，非常适合便携式设备和低功耗系统设计。此外，该LNA具有良好的输入/输出回波损耗，有助于减少信号反射并提高系统的稳定性。
该芯片采用紧凑型封装设计，节省空间，便于集成到高密度PCB布局中。此外，Triad Semiconductor为其提供详细的评估板支持，方便用户快速进行原型设计和性能验证。
该芯片广泛应用于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、ZigBee系统、物联网（IoT）设备以及便携式通信设备中的射频接收前端。由于其优异的低噪声性能和高增益特性，该器件也适用于远程控制、无线传感器网络和智能家庭自动化系统等需要高灵敏度接收器的场合。
AV2400LN-RTR1
