型号：QM75DY-HB
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：75V
　　连续漏极电流ID：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：300A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：11.5mΩ（@VGS=10V, ID=30A）
　　导通电阻RDS(on)：14mΩ（@VGS=4.5V, ID=30A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V（@ID=1mA）
　　输入电容Ciss：3400pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：950pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：≤35ns
　　最大功耗PD：125W（Tc=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（D-PAK）

QM75DY-HB采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，具有极低的导通电阻RDS(on)，这使得其在大电流应用中能够显著减少导通损耗，提高整体系统效率。其典型RDS(on)仅为11.5mΩ（在VGS=10V条件下），即使在较低驱动电压如4.5V下也能保持14mΩ的低阻状态，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用环境。器件的栅极电荷Qg较低，有助于减小驱动电路的功耗并加快开关速度，从而有效降低开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关电源设计。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与热循环可靠性，得益于其优化的芯片结构和高质量封装材料，能够在高温环境下长时间稳定运行。其最大结温可达175℃，支持在高温工业环境中使用。同时，器件内部设计有高效的散热路径，配合TO-252封装底部的金属焊盘，可将热量快速传导至PCB，提升整体散热效率。
　　QM75DY-HB还具备较强的抗雪崩能力和抗短路能力，在突发电压冲击或负载异常时能有效保护自身及整个系统。其内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≤35ns），减少了反向恢复电荷Qrr，降低了在同步整流或感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性验证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）、高压烘烤（H3TRB）等测试，确保长期使用的稳定性。其符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，适用于绿色电子产品设计。由于其优异的电气性能和封装兼容性，QM75DY-HB广泛应用于通信电源、电动工具、电动车控制器、LED驱动电源等领域。

QM75DY-HB广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、高可靠性的开关电源设计。典型应用场景包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器，特别是在非隔离式Buck电路中作为主开关管或同步整流管；电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器和步进电机驱动模块，利用其低导通电阻和高电流承载能力实现高效控制；电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，提供低损耗通路并支持大电流充放电操作。
　　此外，该器件可用于逆变器和UPS电源系统中的功率切换单元，承担能量转换的核心任务。在消费类电子产品中，如大功率LED照明驱动电源、笔记本电脑适配器、移动储能设备中也有广泛应用。工业控制领域中，QM75DY-HB常用于PLC模块、继电器替代电路、热插拔电源开关等场合，凭借其快速响应和高耐用性提升系统整体性能。
　　由于其具备良好的热管理和电气性能，QM75DY-HB也可用于电动工具、无人机电调、小型电动车辆的电机控制器等对空间和效率要求较高的便携式设备中。其TO-252封装易于自动化贴装，适合现代SMT生产工艺，提升了生产效率和产品一致性。

SI7453DP-T1-E3