ITXH20N60A 时间：2025/8/5 17:41:38 阅读：16

ITXH20N60A是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于工业电源、电机控制、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统等领域。ITXH20N60A封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：20A
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　输入电容（Ciss）：1600pF（典型值）

特性

ITXH20N60A具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽栅极设计，提升了开关速度并减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和寿命。TO-247封装设计具有良好的散热性能，便于与散热片配合使用，进一步优化热管理。
　　ITXH20N60A还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，防止器件损坏。其栅极驱动要求较低，兼容常见的MOSFET驱动电路，简化了设计复杂度。
　　在短路和过流条件下，该MOSFET表现出良好的耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其快速恢复体二极管也有助于提升系统效率，特别是在同步整流和电机驱动等应用中。

应用

ITXH20N60A广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业电源领域，该器件适用于开关电源（SMPS）、逆变器和直流-直流转换器等电路。在电机控制方面，ITXH20N60A可用于无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的驱动系统。
　　在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电模块。其优异的开关性能和热稳定性使其成为高性能功率转换系统的理想选择。
　　此外，ITXH20N60A还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备、电镀电源等高功率密度应用场合。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器以及电动助力转向系统（EPS）等关键部件。