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QMV97AP5 发布时间 时间:2025/7/30 9:58:09 查看 阅读:8

QMV97AP5是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。这种类型的器件通常具有低导通电阻(Rds(on)),以减少功率损耗,并能承受较高的电压和电流。QMV97AP5在工业电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中具有广泛的使用。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:P沟道
  最大漏极电流(Id):约97A
  最大漏源电压(Vds):约55V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约12.5mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)

特性

QMV97AP5的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件还具有较高的电流承载能力和良好的热性能,适合在高温环境下工作。此外,QMV97AP5的封装形式(TO-263)提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该器件还具有快速开关能力,使其适用于高频开关应用。
  QMV97AP5的P沟道结构使其在关断状态时具有较低的漏电流,提高了系统的可靠性。此外,其较高的栅极电压容限(±20V)提供了更大的设计灵活性,减少了栅极驱动电路的复杂性。该器件的封装设计还使其易于集成到PCB中,并能够承受较高的机械应力。

应用

QMV97AP5通常用于高功率应用,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力,它特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。在工业自动化和汽车电子系统中,QMV97AP5也常用于功率开关和保护电路中。

替代型号

Si9410BDY-T1-GE3
  IRF9540NPBF
  FQP9P55

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