EVM3GSX50B25 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效率功率转换评估模块,专为设计和测试高频、高功率密度的应用而设计。该模块内置了高效的 GaN FET 和驱动器电路,适用于电源管理、DC-DC 转换器、通信电源和工业电源等应用领域。
通过优化的电路设计和布局,EVM3GSX50B25 可以帮助工程师快速评估和验证基于 GaN 的功率解决方案的性能,并显著降低开发难度和时间。
型号:EVM3GSX50B25
输入电压范围:4.5V 至 17V
输出电压范围:可调(通常为 0.8V 至 5V)
最大输出电流:25A
开关频率:高达 2MHz
GaN FET 导通电阻:约 40mΩ
封装形式:评估模块
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
EVM3GSX50B25 的主要特点包括:
1. 高效的氮化镓(GaN)FET 技术,实现更高的功率密度和效率。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率,从而可以使用更小的磁性元件和电容器。
3. 内置全面保护功能,例如过流保护、过温保护和短路保护。
4. 简化的 PCB 布局设计,有助于减少寄生效应并提高整体系统性能。
5. 提供完整的参考设计和文档支持,方便用户进行开发和调试。
6. 适用于各种需要高效功率转换的场景,如数据中心电源、电动车充电设备以及通信基站电源等。
EVM3GSX50B25 广泛应用于以下领域:
1. 数据中心供电解决方案。
2. 电动车车载充电器及 DC-DC 转换器。
3. 通信基站中的高效电源模块。
4. 工业自动化设备中的电源供应。
5. 消费类电子产品中的快充适配器设计。
EVM3GSX50B25 的高性能和灵活性使其成为众多高要求功率转换应用的理想选择。
EVM3GSX50B30
EVM3GSX50B20