时间：2025/9/13 23:28:05
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PESD3V3S1BSFYL是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为低电压信号线路设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，能够在极短的时间内将高能量的ESD脉冲安全地旁路到地，从而保护下游的敏感电子元件免受损坏。PESD3V3S1BSFYL采用SOT-323（SC-70）封装，具有体积小、响应速度快和可靠性高等优点，适用于便携式电子设备和通信接口的ESD保护。
类型：ESD保护二极管
工作电压：3.3V
反向击穿电压（min）：4.3V
钳位电压（max）：15V @ Ipp=1.7A
峰值脉冲电流（max）：1.7A
响应时间：<1ns
封装类型：SOT-323
通道数：1
工作温度范围：-55°C至+150°C
PESD3V3S1BSFYL具备卓越的ESD保护性能，其主要特性包括：快速响应时间（小于1纳秒），确保在ESD事件发生时能够迅速启动保护机制；低钳位电压，减少对被保护设备的电压应力；高可靠性，在极端环境条件下仍能保持稳定的性能；单向保护结构，适用于需要精确电压控制的应用场景；小尺寸SOT-323封装，节省电路板空间，适合便携式和小型电子设备的设计需求。此外，该器件符合IEC 61000-4-2标准，可承受高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的ESD冲击。
PESD3V3S1BSFYL广泛应用于需要ESD保护的低电压信号线路中，包括USB接口、HDMI端口、智能手机、平板电脑、数码相机、笔记本电脑以及其他便携式消费电子产品。此外，它也适用于工业控制设备、通信模块和传感器接口等领域的信号线路保护。
PESD3V3S1BA, PESD3V3S1BL, PESD3V3S1BLY
