PQ15M01M 时间：2025/8/28 0:06:58 阅读：11

PQ15M01M 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等领域。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：15A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：3W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：LFPAK（表面贴装）

特性

PQ15M01M MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 最大值为 8.5mΩ，这使得该器件在低压大电流应用中表现优异。
　　其次，该 MOSFET 采用 LFPAK 封装技术，这种封装形式具有良好的热传导性能，有助于提高器件的散热能力，从而增强整体系统的稳定性。LFPAK 封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高 PCB 布局的紧凑性。
　　此外，PQ15M01M 的最大漏极电流为 15A，漏极-源极电压为 20V，使其适用于多种中低功率应用，如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等。其 ±12V 的栅极-源极电压范围确保了器件在不同驱动条件下的稳定运行。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其在极端温度环境下仍能保持良好的性能和可靠性，适用于工业和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。