PC8101FC300A是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能、低噪声、高线性度的射频功率放大器(RF Power Amplifier),主要用于无线通信系统中的基站、微波传输设备和无线基础设施。该器件采用了先进的GaAs HBT(异质结双极晶体管)工艺,具有高效率和高稳定性,适用于广泛的射频应用。
工作频率范围:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:30 W(典型值)
增益:12 dB(典型值)
效率:40%(典型值)
输入驻波比(VSWR):< 2.5:1
输出驻波比(VSWR):< 2.0:1
工作电压:+28 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
PC8101FC300A具有出色的线性度和稳定性,非常适合在高频段下进行高功率输出的应用。其GaAs HBT工艺确保了器件在高温和高功率条件下的可靠性,同时提供了良好的热稳定性。该放大器采用低噪声设计,能够在保持高增益的同时有效降低信号噪声。
此外,PC8101FC300A的封装设计考虑了散热性能,采用陶瓷封装和金属外壳,提高了散热效率,确保在高功率应用中的长期稳定性。该器件还具有良好的输入和输出匹配特性,能够简化外围电路的设计,减少匹配网络的复杂性。
在实际应用中,PC8101FC300A可支持多种调制方式,包括QAM、OFDM等,适用于4G LTE、WiMAX、微波通信等系统。其高性能和稳定性也使其成为测试设备和无线中继器等应用的理想选择。
PC8101FC300A广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、WiMAX基站、微波传输设备和无线接入点。此外,它还可用于测试与测量设备、工业控制系统以及需要高线性度和高效率的射频功率放大场合。
AMC-2C350M2, RFPA2843, HMC1099LC4B