ITS23FR2ST 时间：2025/12/26 23:44:44 阅读：17

ITS23FR2ST是一款由英飞凌（Infineon） Technologies推出的采用TSDSON-8封装的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率开关应用而设计，适用于多种电源管理场景，包括DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。作为一款优化后的功率MOSFET，ITS23FR2ST在导通电阻、栅极电荷和开关损耗之间实现了良好的平衡，使其能够在高频工作条件下保持较高的能效。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高系统整体效率，同时较小的封装尺寸有利于节省PCB空间，适合对空间要求较高的紧凑型设计。此外，该器件具备良好的热稳定性与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定运行，满足工业级和汽车级应用的需求。ITS23FR2ST符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　连续漏极电流(Id)@25°C：19A
　　脉冲漏极电流(Id_peak)：76A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：4.7mΩ
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V：6.7mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：19nC
　　输入电容(Ciss)：1070pF
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　上升时间(Tr)：41ns
　　关断延迟时间(Td(off))：31ns
　　下降时间(Tf)：28ns
　　反向恢复时间(Trr)：37ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TSDSON-8

特性

ITS23FR2ST具备优异的电气性能和热性能，其核心优势之一是极低的导通电阻，在Vgs=10V时Rds(on)仅为4.7mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下仍可维持6.7mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于需要高效能量转换的应用中。低Rds(on)显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，减少了发热，从而提升了系统的整体能效并降低了对散热设计的要求。该器件采用了先进的沟槽式场效应晶体管技术，结合优化的芯片结构和封装设计，实现了更高的电流密度和更好的热传导性能。TSDSON-8封装具有较小的占位面积和出色的热阻特性，底部带有裸露焊盘，可通过PCB有效散热，进一步增强了器件的热稳定性。
　　除了低导通电阻外，ITS23FR2ST还具有较低的栅极电荷（Qg=19nC @10V），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率操作。这对于现代高频开关电源尤为重要，如同步降压变换器或多相VRM设计。同时，输入电容Ciss为1070pF，相对适中，能够在保证快速开关响应的同时避免过大的冲击电流。开关时间方面，开启延迟约10ns，上升时间41ns，关断延迟31ns，下降时间28ns，这些参数表明其具备良好的动态响应能力，适合高速切换应用。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和稳健的SOA（安全工作区），能够在瞬态过载或突发负载变化下保持可靠运行。其最大脉冲漏极电流可达76A，展现了出色的峰值电流处理能力，适用于电机启动、电感负载切换等存在大电流冲击的场合。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持严苛环境下的长期稳定运行，尤其适合汽车电子、工业控制等领域。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（Trr=37ns），可减少反向恢复损耗，提升在同步整流等应用中的效率表现。

应用

ITS23FR2ST广泛应用于需要高效率、高功率密度和小型化设计的电源系统中。典型应用场景包括但不限于：同步降压转换器中的低边或高边开关，特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中；电池供电系统的负载开关与电源路径管理；电机驱动电路，如无人机、电动工具和家用电器中的H桥或半桥拓扑；DC-DC变换器中的功率级开关元件；以及各类工业和汽车电子中的电源管理单元。由于其优良的热性能和紧凑封装，也常用于空间受限但散热要求较高的便携式设备和嵌入式系统中。此外，该器件还可用于LED驱动、热插拔控制器和OR-ing电路等需要快速响应和低损耗特性的场合。