NB639DL-LF-Z 时间：2025/8/20 4:18:46 阅读：22

NB639DL-LF-Z 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用 NPN 结构，适合在高频电子电路中使用，如射频（RF）放大器、振荡器以及高速开关电路等。NB639DL-LF-Z 采用表面贴装封装（SOT-23），适用于自动化装配和高密度 PCB 设计。

参数

晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在 IC=2mA 时，典型值为 300
　　封装类型：SOT-23

特性

NB639DL-LF-Z 具备优异的高频响应性能，适用于需要快速开关和信号放大的电路设计。其 SOT-23 封装结构小巧，便于在空间受限的电路中使用，并且具有良好的热稳定性和机械强度。此外，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中可减少功耗，提高能效。其 hFE 参数在较宽的集电极电流范围内保持稳定，确保了在不同工作条件下的一致性能。NB639DL-LF-Z 还具有良好的温度适应性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于工业级和消费类电子设备。

应用

NB639DL-LF-Z 广泛应用于高频电子电路中，例如射频（RF）放大器、振荡器、混频器和调制解调器。此外，它也可用于高速开关电路、数字逻辑电路、驱动 LED 或小型继电器等负载。由于其高频特性和小型封装，NB639DL-LF-Z 特别适合用于无线通信模块、无线传感器网络、便携式电子产品以及嵌入式控制系统中的信号处理和功率控制环节。