ITA07N65R 时间：2025/8/1 21:37:17 阅读：17

ITA07N65R是一款N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的高压工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

ITA07N65R具备多项优异特性，能够满足高要求的功率管理需求。首先，其650V的漏源电压额定值使其能够应用于高电压环境中，确保器件在高压条件下的稳定性和可靠性。该器件的低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，其高栅源电压耐受能力（±20V）增强了抗过压和静电放电（ESD）能力，提升了器件的耐用性。
　　该MOSFET采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高功率工作时的热稳定性。TO-220封装形式广泛用于工业级功率应用，具有良好的机械强度和电气绝缘性能。此外，ITA07N65R具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器设计。
　　在可靠性方面，该器件通过了多项国际质量认证，具备高抗干扰能力和长使用寿命。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保在极端环境条件下仍能正常运行，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等严苛应用场景。

应用

ITA07N65R广泛应用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）和智能电表等。在消费类电子产品中，它可用于电源适配器、平板电视电源模块和LED背光驱动电路。在工业领域，该器件适用于自动化控制系统、伺服电机驱动器和不间断电源（UPS）设备。此外，在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电模块中，ITA07N65R也能提供高效的功率开关解决方案。