时间：2025/12/27 3:04:41
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IXTA180N10T7是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，专为高电流、高效率的电源转换应用设计。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于工业电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）以及新能源系统等需要高效能功率开关的场合。其100V的漏源击穿电压使其能够在中高压环境下稳定工作，同时180A的连续漏极电流能力确保了在大负载条件下仍具有出色的性能表现。器件封装形式为TO-263（D2PAK），属于表面贴装型封装，便于自动化生产并具备良好的散热性能，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。
IXTA180N10T7在设计上优化了热阻特性，能够有效降低工作温度，提升系统可靠性。此外，该MOSFET具备快速开关响应能力，可减少开关损耗，提高整体系统效率。内置的体二极管也具有较快的反向恢复特性，适用于需要频繁进行能量回馈的应用场景，如H桥电路和同步整流拓扑结构。由于其高性能参数和稳健的设计，IXTA180N10T7广泛应用于电动汽车充电模块、太阳能逆变器、电动工具电源管理以及工业自动化设备中。
型号：IXTA180N10T7
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：180 A
脉冲漏极电流（IDM）：720 A
导通电阻（RDS(on) max）：6.5 mΩ @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：190 nC @ VGS = 10 V
输入电容（Ciss）：7400 pF
输出电容（Coss）：1100 pF
反向恢复时间（trr）：45 ns
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
热阻结到外壳（RθJC）：0.35 °C/W
封装：TO-263 (D2PAK)
极性：N-Channel
IXTA180N10T7具备卓越的电气和热性能，是高功率密度应用中的理想选择。其最大漏源电压为100V，能够在中压电源系统中可靠运行，例如DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动器。该器件的低导通电阻（典型值仅为6.5mΩ）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率，尤其是在大电流持续工作的工况下优势更为明显。这种低RDS(on)特性还减少了发热，有助于延长元器件寿命并降低对散热系统的要求。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造，实现了栅极电荷（Qg）与导通电阻之间的良好折衷，典型栅极电荷为190nC，在高频开关应用中可有效减少驱动损耗和开关延迟。其输入电容和输出电容分别为7400pF和1100pF，使得在PWM控制下仍能保持稳定的动态响应。此外，该器件具有快速的开关速度，配合较短的反向恢复时间（trr=45ns），可以有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，特别适用于桥式拓扑和同步整流电路。
在热管理方面，IXTA180N10T7的热阻结到外壳仅为0.35°C/W，表明其具有优异的散热能力，尤其适合通过PCB或散热片进行高效热传导的设计。其宽广的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其能在极端环境温度下稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。TO-263表面贴装封装不仅支持自动化装配，还具备较高的机械强度和良好的长期可靠性。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。
综合来看，IXTA180N10T7以其高电流承载能力、低导通损耗、优良的热性能和可靠的封装结构，成为中高压大功率开关应用中的优选器件，广泛用于电源、能源转换和工业控制系统中。
IXTA180N10T7广泛应用于多种高功率电子系统中。主要应用领域包括工业电机驱动、开关模式电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、不间断电源（UPS）、逆变器（如太阳能逆变器和车载逆变器）、电池管理系统（BMS）以及电动工具电源模块。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能量转换和长时间满载运行的设备。在H桥和半桥拓扑结构中，它可用于实现高效的电机正反转控制或功率双向流动。此外，在电动汽车充电基础设施中，该MOSFET可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的功率级设计。其快速开关特性和良好的热稳定性也使其适用于高频谐振变换器和数字电源系统。
IXTH180N10L2
IXTP180N10T2
