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IS61WV6416BLL-12BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:37:49 查看 阅读:5

IS61WV6416BLL-12BLI 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高性能和低功耗的特点,适用于各种需要高速数据存取的应用场景。IS61WV6416BLL-12BLI 采用 512K x 16 位的组织结构,提供高速异步访问能力,适用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统和网络设备等。

参数

容量:512K x 16位
  电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  封装:54引脚 TSOP
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  组织结构:512K x 16
  工作模式:异步
  最大工作频率:83MHz
  输入/输出电压兼容性:3.3V 和 2.5V 兼容

特性

IS61WV6416BLL-12BLI 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速访问时间和低功耗特性。其12ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时数据处理系统。该芯片支持2.3V至3.6V宽电压范围,适应多种电源设计需求,并具备良好的稳定性和可靠性。其54-TSOP封装结构便于在高密度PCB设计中使用,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种环境下稳定运行。
  此外,该芯片的16位数据总线结构支持高效的数据传输,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信模块、网络设备以及视频处理系统。其CMOS制造工艺不仅提高了功耗效率,还增强了抗干扰能力,使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作。芯片内部采用优化的存储单元设计,提高了存储密度,同时保持了高速访问性能。

应用

IS61WV6416BLL-12BLI 主要用于需要高速存储访问的嵌入式系统,如工业控制器、通信路由器、交换机、网络处理器、图像处理模块、测试设备和医疗仪器。由于其低功耗和高稳定性,也适用于长时间运行的自动化系统和智能终端设备。该芯片可作为主处理器的外部高速缓存或数据缓冲存储器,适用于需要快速读写操作的实时系统应用。
  此外,该芯片也广泛应用于汽车电子、安防监控、消费电子和智能仪表等领域。其异步SRAM架构使其能够与多种微处理器和FPGA芯片兼容,便于系统扩展和升级。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416SA12PHGI, IS62WV51216BLL-12B

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IS61WV6416BLL-12BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量1 Mbit
  • 组织64 K x 16
  • 访问时间12 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min2.97 V
  • 最大工作电流45 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体mBGA-48
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量480
  • 类型Asynchronous