时间：2025/5/15 15:11:36
阅读：7
IPB055N08NF2S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Infineon 的 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率转换应用。其额定电压为 80V，能够满足大多数工业和消费类电子设备的功率需求。
该 MOSFET 优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，适合高频开关应用。此外，其坚固的设计使其能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：5.7A
导通电阻（典型值）：4.9mΩ
栅极电荷（典型值）：13nC
开关时间（典型值，开启/关闭）：16ns / 11ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
IPB055N08NF2S 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 内置米勒钳位保护功能，防止寄生导通，提高可靠性。
4. 高雪崩能量能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 小型化封装（TOLL），节省 PCB 空间并改善散热性能。
7. 支持高效能同步整流及负载开关应用。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动应用中的功率级控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器设计。
IPW50R055CE, IRFZ44N, FDP55N06L
