时间：2025/6/22 5:30:43
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PJD50N10AL-AU_L2_000A1是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，适合于各种需要高效功率管理的场合。
该型号属于PJD系列，采用了先进的制造工艺以优化其电气特性和可靠性，同时具备出色的耐用性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：2200pF
总功耗：240W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 强大的雪崩能力和抗静电能力，提高了系统的可靠性。
4. 小巧的封装设计，节省了PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 支持大电流操作，适用于工业级和汽车级应用。
PJD50N10AL-AU_L2_000A1广泛应用于各类功率电子设备中，例如电源适配器、DC-DC转换器、逆变器、电动工具驱动电路、LED照明系统以及汽车电子领域中的负载切换和电池管理。
此外，它还可以用作同步整流器或续流二极管的替代方案，在提升效率的同时减少热量产生。
PJD50N10BL, IRF540N, FDP50N10E
