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SGM8703YN6G/TR 发布时间 时间:2025/7/31 13:57:05 查看 阅读:28

SGM8703YN6G/TR 是一款由 SGMICRO(圣邦微电子)生产的高精度、低功耗的电压比较器芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高精度、低失调电压和宽工作电压范围的特点。SGM8703YN6G/TR采用SOT23-6封装形式,适合在便携式设备、工业控制系统、电池管理系统和传感器接口等应用中使用。该比较器具有推挽输出结构,能够直接驱动CMOS或TTL逻辑电路,且无需外部上拉电阻。

参数

类型:电压比较器
  电源电压范围:1.7V至5.5V
  输入失调电压:最大1.5mV(典型值0.5mV)
  输入偏置电流:典型值1pA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  输出类型:推挽式
  封装类型:SOT23-6
  响应时间:典型值500ns
  电流消耗:典型值12μA
  输入电压范围:0V至VCC
  输出电流能力:±8mA

特性

SGM8703YN6G/TR 具备多项优异特性,适用于高精度和低功耗要求的应用场景。其低输入失调电压(最大1.5mV)确保了在精密检测和比较任务中的准确性,而低输入偏置电流(典型值1pA)则使其适用于高阻抗信号源的比较操作。芯片支持宽输入电压范围(1.7V至5.5V),可适应多种电源配置,包括单节锂电池供电系统。此外,其推挽输出结构避免了传统开漏输出需要外部上拉电阻的缺点,简化了电路设计并降低了功耗。
  该比较器的响应时间典型值为500ns,能够满足大多数中高速比较应用的需求。同时,其静态电流消耗仅为12μA,非常适合电池供电设备以延长续航时间。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境。SGM8703YN6G/TR还具备良好的抗干扰能力,输入电压范围覆盖整个电源电压范围,确保在不同输入信号条件下都能稳定工作。
  此外,SGM8703YN6G/TR内部设计有静电放电(ESD)保护电路,增强了芯片的可靠性,能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。SOT23-6的小型封装形式也使其适用于空间受限的便携式电子产品设计。

应用

SGM8703YN6G/TR 适用于多种需要高精度电压比较的电子系统中。典型应用包括电池管理系统中的过压、欠压检测,工业控制中的阈值检测电路,传感器信号调理模块,以及各种便携式电子设备中的电压监测电路。由于其低功耗和小型封装特性,SGM8703YN6G/TR也非常适合用于手持设备、智能穿戴产品、物联网(IoT)节点、医疗监测设备等低功耗应用场景。在通信设备中,它可以用于电源监控、信号检测和电平转换等功能模块中。此外,在汽车电子系统中,如车用电池监测模块、车身控制系统中,SGM8703YN6G/TR也能提供稳定可靠的比较功能。

替代型号

LMV331ID5G4, MAX9017KAUD+, TSV911IDBVR

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