时间：2025/9/1 11:43:04
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IS61NLP51236B-200B3LI 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的高速低功耗异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备高速存取、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要高性能数据存储的嵌入式系统和工业控制设备。该型号的SRAM容量为512K × 36位，工作频率高达200MHz，支持异步操作模式。
容量：512K × 36位
访问时间：5.4ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大存取时间：5.4ns
最大工作频率：200MHz
输入/输出电压兼容性：3.3V 和 5V 兼容
IS61NLP51236B-200B3LI 是一款专为高性能应用设计的异步SRAM芯片。其高速存取时间确保了系统在高频操作下的稳定性，适用于网络设备、通信模块、工业控制以及高性能嵌入式系统。该芯片采用了先进的CMOS工艺，具有较低的待机电流和主动工作电流，有效延长设备的电池寿命。此外，该SRAM具备宽电压工作范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。其TQFP封装形式提供了良好的散热性能和紧凑的安装空间，适用于对尺寸和功耗有严格要求的设计。
该芯片还具备高可靠性和抗干扰能力，能够在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适合用于严苛环境下的应用。IS61NLP51236B-200B3LI 的36位数据总线宽度支持更高的数据吞吐量，适用于需要大量数据处理的应用场景。
IS61NLP51236B-200B3LI 主要应用于网络设备、通信基础设施、工业自动化控制、嵌入式系统、测试与测量设备等需要高速缓存或临时数据存储的场合。其高带宽和低延迟特性使其成为高性能处理器和FPGA系统中的理想缓存解决方案。
IS61NLP51236B-200B3TI, IS61NLP51236B-200BLL
