SQP50N06-09L 时间：2025/6/28 23:21:39 阅读：3

SQP50N06-09L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电力电子应用。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够满足高效能功率转换需求。其额定电压为 60V，最大持续漏极电流可达 50A（在特定条件下）。这种 MOSFET 常用于电机驱动、电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：50A
　　导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
　　栅极电荷：17nC时间：开启延迟时间 30ns，上升时间 12ns；关断延迟时间 19ns，下降时间 10ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

SQP50N06-09L 的主要特点是其低导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。此外，它还具备较高的雪崩耐量能力，能够在过载或短路情况下提供额外的保护。
　　该 MOSFET 的小型化封装设计使其易于安装，并且其快速开关性能非常适合高频应用。同时，由于采用了优化的制造工艺，器件的热稳定性也得到了显著提高，从而延长了使用寿命。
　　此外，该产品符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。

应用

这款功率 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关
　　2. 各类电机驱动电路，包括步进电机和直流无刷电机
　　3. 负载切换和电池保护系统
　　4. 工业自动化设备中的电磁阀控制
　　5. LED 驱动器和汽车电子系统的功率管理
　　6. 照明系统中的调光和调压控制
　　SQP50N06-09L 的高性能和可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。