类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 VDS：60 V
　　栅源电压 VGS：±20 V
　　连续漏极电流 ID：110 A
　　导通电阻 RDS(on)：3.3 mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　功耗 PD：140 W

VUM33-06PH 具有出色的导通和开关性能，这得益于其采用的先进沟槽 MOSFET 技术。其低导通电阻 RDS(on) 仅为 3.3 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达 110 A 的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。栅源电压范围为 ±20 V，确保了栅极控制的稳定性。
　　此外，VUM33-06PH 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种恶劣工作环境。该器件的封装形式为 PowerFLAT 5x6，体积小、重量轻，便于在高密度 PCB 设计中使用。其表面贴装封装支持自动化焊接工艺，提高了生产效率。
　　VUM33-06PH 还具有较低的开关损耗，这对于高频开关应用（如 DC-DC 转换器和同步整流器）尤为重要。其低寄生电容和快速开关特性使得器件能够在高频下保持高效率，减少能量损耗并提高系统响应速度。

VUM33-06PH 适用于多种功率电子设备，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关和负载管理电路。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于高效升压或降压电路，提供稳定的电压转换。在电池管理系统中，它可用于控制电池的充放电过程，确保电池组的安全运行。
　　该器件还适用于电机控制应用，如直流无刷电机驱动器和电动工具控制器。其高电流能力和低导通电阻使其能够在高负载条件下稳定运行，减少发热并提高系统效率。此外，VUM33-06PH 也可用于电源开关和负载管理电路，例如电源分配单元（PDU）和智能电源管理模块。
　　由于其优异的热稳定性和可靠性，VUM33-06PH 还可用于工业自动化设备、汽车电子系统和通信电源等高温环境应用。其紧凑的 PowerFLAT 封装也使其适用于空间受限的电子产品设计。

STL110N6F7, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, SiR178DP