时间：2025/8/25 1:40:58
阅读：10
FDH210AN08 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高电流和高效率的电源管理应用，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。FDH210AN08 特别适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用场景。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：80V
连续漏极电流（ID）：100A（在 Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
功耗（PD）：250W（最大值）
FDH210AN08 采用先进的功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其高电流容量和出色的热管理能力使其适用于高功率密度设计。该器件的封装形式为 TO-263（D2PAK），便于在 PCB 上安装并提供良好的散热性能。此外，FDH210AN08 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供稳定的性能。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的 VGS 工作电压，适用于多种驱动器配置。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提升电源转换效率。FDH210AN08 还具备较高的短路耐受能力，使其在电机驱动和电源管理系统中表现出色。
FDH210AN08 主要用于需要高电流处理能力和低导通损耗的功率电子系统中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具、电机驱动、电源开关、服务器电源和工业自动化设备。其高可靠性和优异的热性能也使其成为汽车电子和新能源系统中的理想选择。
SiS430DN, IRF1010E, FDP100N80, FDS4410
