时间：2025/7/7 9:17:03
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SH31B475K250CT 是一款高性能的功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，适合在要求高效能和高可靠性的电路中使用。
该型号属于SiHF系列，优化了动态和静态特性，能够显著降低系统的功耗并提高整体效率。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：250A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：4960pF
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
SH31B475K250CT 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可以有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力（高达250A），适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 强大的散热性能，能够承受高温环境运行。
5. 可靠性经过严格测试，能够在恶劣环境下长期稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
SH31B475K250CT 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机控制及驱动电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
4. 太阳能逆变器以及其他新能源设备。
5. DC-DC转换器和降压升压电路。
6. 各种需要大电流和高效能的电子装置。
IRFP2907ZPBF, CSD19536KCS, FDP15U60A
