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IXTP94N20X4 发布时间 时间:2025/8/5 22:00:55 查看 阅读:20

IXTP94N20X4 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的高功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子系统中。该器件属于 CoolMOS? 系列,采用了先进的超结(SJ)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其在高频率和高功率密度应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):200V
  最大连续漏极电流(Id):94A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为 17mΩ(最大值为 23mΩ)
  栅极电荷(Qg):典型值为 92nC
  输入电容(Ciss):典型值为 1800pF
  功率耗散(Ptot):典型值为 340W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTP94N20X4 的核心优势在于其采用了英飞凌的 CoolMOS? 技术,该技术通过优化硅结构,显著降低了导通电阻(Rds(on))并提高了器件的开关性能。相比传统的 MOSFET 和双极型晶体管(BJT),CoolMOS? 器件能够在相同的导通损耗下实现更低的开关损耗,从而提高系统的整体效率。
  此外,该器件具有极低的栅极电荷(Qg),有助于减少高频开关操作中的驱动损耗。输入电容(Ciss)的优化设计也进一步提高了器件的动态响应能力,使其适用于需要快速开关的应用场景。
  IXTP94N20X4 还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高工作温度下保持稳定的性能。其封装形式为 TO-247,适用于高功率应用中的散热需求,并支持多种安装方式,便于在各种电路板设计中使用。
  该 MOSFET 的高集成度和优异的电气特性使其成为高效电源转换器、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电机驱动系统等应用中的理想选择。

应用

IXTP94N20X4 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用包括:高性能开关电源(SMPS)、工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电池管理系统(BMS)以及电动汽车充电设备等。在这些应用中,该器件能够有效降低能量损耗,提高系统效率,并支持高频开关操作以减小磁性元件的体积和重量。
  由于其出色的热性能和电气特性,IXTP94N20X4 也适用于要求高可靠性和长寿命的工业和汽车电子系统。此外,在电机控制和驱动电路中,该器件可以提供更高的功率密度和更小的系统尺寸,满足现代电力电子设备对高性能和小型化的需求。

替代型号

IXTP94N20X4 的替代型号包括 IXTP90N20X4、IXTP100N20X4 和 IPW60R028C7(英飞凌的另一款 CoolMOS? 器件)。这些型号在电气特性和封装形式上与 IXTP94N20X4 类似,可以根据具体应用需求进行选择。

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IXTP94N20X4参数

  • 现有数量564现货
  • 价格1 : ¥101.76000管件
  • 系列Ultra X4
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)94A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10.6 毫欧 @ 47A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)77 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5050 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)360W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3