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IS61NLP51236-250TQLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:49:15 查看 阅读:10

IS61NLP51236-250TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件容量为512K x 36位,工作电压为2.3V至3.6V,适用于需要高性能和低功耗的工业和通信应用。

参数

容量:512K x 36位
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:250MHz
  封装类型:TQFP(Thin Quad Flat Package)
  引脚数:119
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:36位
  地址线数量:19条
  封装尺寸:14mm x 20mm

特性

IS61NLP51236-250TQLI 是一款高性能的异步SRAM,具备高速访问时间和低功耗特性,适用于各种嵌入式系统和数据缓存应用。该器件采用先进的CMOS工艺制造,确保了稳定性和可靠性。其宽电压范围支持多种电源设计,增强了设计的灵活性。此外,该芯片具有较宽的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级应用环境。TQFP封装形式不仅节省空间,还便于自动化装配和高密度电路设计。
  该SRAM具有异步控制信号,支持CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)等功能,允许灵活的数据读写操作。其36位数据宽度适合高速数据传输场景,如网络设备、工业控制器和通信模块。此外,该器件具备低待机电流特性,在不使用时可有效降低功耗,延长设备的电池寿命或减少散热需求。
  IS61NLP51236-250TQLI 还具备出色的抗干扰能力,能够在电磁环境复杂的工业场景中稳定运行。其CMOS设计提供了高噪声抑制能力,确保数据完整性。该芯片广泛应用于路由器、交换机、测试设备和嵌入式系统中,作为高速缓存或临时数据存储单元。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试仪器、路由器和交换机等需要高速、低功耗SRAM的场景。

替代型号

IS61NLP51236-250TQ, IS61LV51236A-250TQ, CY7C1512KV18-250BZC

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IS61NLP51236-250TQLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量18 Mbit
  • 访问时间2.6 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流500 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TQFP-100
  • 封装Tray
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量72
  • 类型Synchronous