IS61NLP51236-250TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件容量为512K x 36位,工作电压为2.3V至3.6V,适用于需要高性能和低功耗的工业和通信应用。
容量:512K x 36位
电压范围:2.3V - 3.6V
访问时间:250MHz
封装类型:TQFP(Thin Quad Flat Package)
引脚数:119
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据宽度:36位
地址线数量:19条
封装尺寸:14mm x 20mm
IS61NLP51236-250TQLI 是一款高性能的异步SRAM,具备高速访问时间和低功耗特性,适用于各种嵌入式系统和数据缓存应用。该器件采用先进的CMOS工艺制造,确保了稳定性和可靠性。其宽电压范围支持多种电源设计,增强了设计的灵活性。此外,该芯片具有较宽的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级应用环境。TQFP封装形式不仅节省空间,还便于自动化装配和高密度电路设计。
该SRAM具有异步控制信号,支持CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)等功能,允许灵活的数据读写操作。其36位数据宽度适合高速数据传输场景,如网络设备、工业控制器和通信模块。此外,该器件具备低待机电流特性,在不使用时可有效降低功耗,延长设备的电池寿命或减少散热需求。
IS61NLP51236-250TQLI 还具备出色的抗干扰能力,能够在电磁环境复杂的工业场景中稳定运行。其CMOS设计提供了高噪声抑制能力,确保数据完整性。该芯片广泛应用于路由器、交换机、测试设备和嵌入式系统中,作为高速缓存或临时数据存储单元。
该芯片广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试仪器、路由器和交换机等需要高速、低功耗SRAM的场景。
IS61NLP51236-250TQ, IS61LV51236A-250TQ, CY7C1512KV18-250BZC