PDTA123ETVL 时间：2025/9/14 8:45:50 阅读：3

PDTA123ETVL 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的NPN型晶体管，属于双极性晶体管（BJT）类别。这款晶体管设计用于高频率和低电压应用，具有良好的开关特性和稳定性，广泛应用于便携式电子设备、逻辑电路、电源管理以及信号放大等场景。该晶体管采用SOT-23封装形式，适合表面贴装技术（SMT），具有体积小、功耗低、可靠性高等特点。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

PDTA123ETVL 晶体管具有多项优异特性，适合多种电子电路应用。其NPN结构提供了良好的信号放大能力，并具备出色的开关性能，适用于高频操作。晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，适合中低功率电路设计。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，能够满足不同应用对增益的需求。PDTA123ETVL 还具有较高的增益带宽积（100MHz），使其在高频放大和开关应用中表现出色。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且便于自动化装配，适用于现代电子设备的小型化趋势。晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保了其在各种环境条件下的稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

应用

PDTA123ETVL 晶体管广泛应用于多个领域，包括便携式电子设备、通信设备、音频放大器、逻辑电路、电源管理模块、开关电路、信号放大和传感器接口等。由于其高频特性和良好的增益性能，该晶体管特别适合用于射频（RF）放大和开关应用。在数字电路中，PDTA123ETVL 可作为逻辑门或驱动电路的核心元件，提供稳定的电流控制和信号处理能力。此外，其低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元。