HMK107BJ153KA-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,可显著提高电路效率并降低功耗。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,封装形式通常为 TO-220 或者 DPAK 类型,具体封装信息需要根据实际产品确认。它广泛适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的各种功率管理场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:48A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:95nC
总功耗:140W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频操作,适合现代高效能设计需求。
3. 强化的雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径并降低了开关噪声。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
6. 优异的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 汽车电子设备中的负载切换
6. 充电器及适配器
7. 各类功率管理模块
IRFZ44N, FDP5500, AO3400