时间：2025/6/22 8:27:01
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TF020N025NG 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高效率开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能的电子系统中。
型号：TF020N025NG
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：25V
Rds(on)（导通电阻）：2mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：200A（典型值，25°C）
Vgs（栅源电压）：±20V
功耗：360W
封装形式：D2PAK
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
TF020N025NG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低导通损耗，提升整体系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 200A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。
4. 宽工作温度范围，适应恶劣环境下的使用。
5. 强大的热稳定性，确保在高功率运行时保持可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
7. 采用 D2PAK 封装，便于安装与散热设计。
该器件广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机控制模块。
3. 工业设备中的逆变器和变频器。
4. 大功率 LED 照明驱动电路。
5. 各类电池管理系统（BMS）。
6. 电信和数据通信设备中的电源管理部分。
IRF2807PbF, STP200N06LC5, FDP25N06L
