时间：2025/9/1 10:20:49
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IS61NLP51236-200TQLI 是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有512K容量，以x36的位宽提供高速数据存取能力，适用于需要高带宽和低延迟的嵌入式系统和网络设备。该型号的工作温度范围为工业级-40°C至+85°C，封装形式为48引脚TSOP，适用于各种工业和通信应用。
容量：512K x 36
电压范围：2.3V至3.6V
访问时间：200MHz
封装类型：48-TSOP
工作温度：-40°C至+85°C
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm
功耗（典型）：100mA（工作模式）、10mA（待机模式）
IS61NLP51236-200TQLI具备高速异步SRAM架构，能够在无时钟控制的情况下实现快速数据存取，访问时间低至200MHz级别。其低功耗特性使其适用于便携式设备或对功耗敏感的应用场景。该芯片采用CMOS制造工艺，支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。此外，其-40°C至+85°C的工作温度范围确保其在恶劣工业环境中的稳定性。
该SRAM芯片还具备强大的抗干扰能力和高可靠性，适合在高噪声环境中使用。其48-TSOP封装设计有助于节省PCB空间，并简化了高频信号布线的复杂性。IS61NLP51236-200TQLI在设计上符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求。
这款SRAM芯片还支持多种控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），用户可以通过组合这些信号实现灵活的读写操作控制。此外，该芯片内部采用优化的存储单元设计，有效降低了静态和动态功耗，提高了整体能效。
IS61NLP51236-200TQLI广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络路由器和交换机、测试仪器、图像处理设备以及嵌入式系统中，作为高速缓存或数据缓冲器使用。由于其高带宽和低延迟特性，特别适合需要快速响应和大量数据处理的应用场景，如网络数据包缓存、实时控制数据存储、图像帧缓冲等。此外，该芯片也可用于汽车电子系统、智能卡终端设备以及各种工业自动化设备中，作为临时数据存储单元。
IS61NLP51236-166TQLI、IS61NLP51236A-200TQLI、CY62148EAVTA166AE3、IDT71V416SA200BQ
