您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5PS1G43EFR-Y5C

H5PS1G43EFR-Y5C 发布时间 时间:2025/9/2 5:54:52 查看 阅读:9

H5PS1G43EFR-Y5C 是由SK hynix(海力士)公司生产的一款高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)产品。这款内存芯片采用了堆叠式封装技术,将多个DRAM芯片通过TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技术垂直互联,从而实现极高的数据传输带宽。H5PS1G43EFR-Y5C 是面向高性能计算、图形处理、AI加速器以及高端显卡等应用场景的内存解决方案。其设计目标是在有限的空间内提供更高的带宽和更低的功耗。

参数

容量:1GB
  内存类型:HBM (High Bandwidth Memory)
  数据速率:1024MB/s(具体数值可能因应用环境而异)
  I/O配置:128位宽
  封装方式:堆叠式BGA封装
  工作电压:1.2V
  温度范围:商业级(0°C至85°C)
  接口类型:HBM接口
  TSV技术:支持

特性

H5PS1G43EFR-Y5C 的主要特性包括:
  1. 高带宽:HBM技术使该内存芯片能够实现极高的数据传输速率,满足高性能计算和图形处理的需求。
  2. 堆叠式封装:通过TSV技术将多个DRAM芯片垂直互联,减小了PCB板上的占用空间,同时提高了内存密度。
  3. 低功耗:相较于传统GDDR5内存,H5PS1G43EFR-Y5C 在相同带宽下具有更低的功耗,适合用于对能效要求较高的设备。
  4. 小型化设计:堆叠式结构减少了单个内存芯片的体积,使得系统设计更加紧凑。
  5. 高可靠性:采用先进的封装和制造工艺,确保在高负载工作环境下仍能保持稳定性能。
  6. 支持多种应用:适用于GPU、AI加速器、高端显卡以及高性能计算设备等对内存带宽有极高需求的场景。
  7. 高度集成:通过将多个DRAM芯片集成在一个封装中,减少了外部布线需求,提升了系统的整体性能。

应用

H5PS1G43EFR-Y5C 主要用于以下领域:
  1. 图形处理单元(GPU):为高端显卡提供高带宽内存支持,提升图形渲染性能。
  2. 人工智能与深度学习:在AI加速器中作为高速缓存使用,加快模型训练和推理过程。
  3. 高性能计算(HPC):在服务器和超级计算机中提供高速内存访问能力。
  4. 网络设备:用于高性能网络交换机和路由器,提升数据处理能力。
  5. 工业控制与嵌入式系统:在需要高带宽和低功耗的工业控制设备中作为主存使用。
  6. 医疗成像设备:用于医学影像处理系统,提高图像处理速度和精度。

替代型号

H5PS1G43EFR-Y5C 的可能替代型号包括:H5PS1G43EFR-Y5D(更高带宽版本)、H5PS2G43EFR-Y5C(容量为2GB的HBM内存)等,具体替代方案需根据实际应用场景和系统要求进行选择。

H5PS1G43EFR-Y5C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价