时间：2025/9/1 13:42:12
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IS61NLP102418B-200B3LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速低功耗异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于需要高性能和低功耗的应用场合，适用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等领域。IS61NLP102418B-200B3LI的存储容量为18位宽度的1Mbit（即128K x 18），采用异步访问方式，具有快速访问时间和低功耗待机模式。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 18
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：200MHz
封装类型：165引脚BGA
工作温度：-40°C至+85°C
接口类型：异步
待机电流：典型值10mA（最大100mA）
工作电流：典型值180mA（最大300mA）
封装尺寸：14mm x 18mm
数据保持电压：2.0V
最大存取时间：10ns
IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有优异的稳定性与可靠性。其高速访问时间（最大10ns）使其适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持异步接口，允许其与多种控制器和处理器无缝连接。此外，该器件具有低功耗设计，支持待机模式以减少功耗，非常适合电池供电或低功耗系统使用。
该SRAM芯片的18位数据宽度（即128K x 18）使其适用于需要高带宽数据处理的应用，如图像处理、数据缓冲和高速缓存。其宽温度范围（-40°C至+85°C）确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和数据保持特性，即使在低电压条件下也能保证数据完整性。
在封装方面，IS61NLP102418B-200B3LI采用165引脚BGA封装，提供良好的电气性能和机械稳定性。其封装尺寸为14mm x 18mm，适合高密度PCB设计。该芯片广泛应用于路由器、交换机、工业自动化设备、测试设备和嵌入式系统等高性能存储需求场景。
IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片适用于多种高性能存储应用场景，包括网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和无线接入点）、工业控制系统（如PLC和自动化控制器）、嵌入式系统（如高端单片机系统和实时操作系统）、测试与测量设备（如示波器和逻辑分析仪）、图像处理设备（如视频采集和处理模块）等。该芯片的高速访问能力、低功耗设计以及宽温范围特性，使其成为需要快速、稳定和可靠存储解决方案的理想选择。
IS61WV102418B-200B4I、IS61NLP102418B-200B4LI、CY7C1021DV33-200BZXC、IDT71V128SA100BQGI
