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IS61NLP102418B-200B3LI 发布时间 时间:2025/9/1 13:42:12 查看 阅读:16

IS61NLP102418B-200B3LI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速低功耗异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件设计用于需要高性能和低功耗的应用场合,适用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等领域。IS61NLP102418B-200B3LI的存储容量为18位宽度的1Mbit(即128K x 18),采用异步访问方式,具有快速访问时间和低功耗待机模式。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 18
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:200MHz
  封装类型:165引脚BGA
  工作温度:-40°C至+85°C
  接口类型:异步
  待机电流:典型值10mA(最大100mA)
  工作电流:典型值180mA(最大300mA)
  封装尺寸:14mm x 18mm
  数据保持电压:2.0V
  最大存取时间:10ns

特性

IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造,具有优异的稳定性与可靠性。其高速访问时间(最大10ns)使其适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持异步接口,允许其与多种控制器和处理器无缝连接。此外,该器件具有低功耗设计,支持待机模式以减少功耗,非常适合电池供电或低功耗系统使用。
  该SRAM芯片的18位数据宽度(即128K x 18)使其适用于需要高带宽数据处理的应用,如图像处理、数据缓冲和高速缓存。其宽温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。此外,该芯片具有良好的抗干扰能力和数据保持特性,即使在低电压条件下也能保证数据完整性。
  在封装方面,IS61NLP102418B-200B3LI采用165引脚BGA封装,提供良好的电气性能和机械稳定性。其封装尺寸为14mm x 18mm,适合高密度PCB设计。该芯片广泛应用于路由器、交换机、工业自动化设备、测试设备和嵌入式系统等高性能存储需求场景。

应用

IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片适用于多种高性能存储应用场景,包括网络设备(如路由器和交换机)、通信设备(如基站和无线接入点)、工业控制系统(如PLC和自动化控制器)、嵌入式系统(如高端单片机系统和实时操作系统)、测试与测量设备(如示波器和逻辑分析仪)、图像处理设备(如视频采集和处理模块)等。该芯片的高速访问能力、低功耗设计以及宽温范围特性,使其成为需要快速、稳定和可靠存储解决方案的理想选择。

替代型号

IS61WV102418B-200B4I、IS61NLP102418B-200B4LI、CY7C1021DV33-200BZXC、IDT71V128SA100BQGI

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IS61NLP102418B-200B3LI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥164.88000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)