IS61NLP102418B-200B3LI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速低功耗异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件设计用于需要高性能和低功耗的应用场合,适用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等领域。IS61NLP102418B-200B3LI的存储容量为18位宽度的1Mbit(即128K x 18),采用异步访问方式,具有快速访问时间和低功耗待机模式。
容量:1Mbit
组织结构:128K x 18
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:200MHz
封装类型:165引脚BGA
工作温度:-40°C至+85°C
接口类型:异步
待机电流:典型值10mA(最大100mA)
工作电流:典型值180mA(最大300mA)
封装尺寸:14mm x 18mm
数据保持电压:2.0V
最大存取时间:10ns
IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造,具有优异的稳定性与可靠性。其高速访问时间(最大10ns)使其适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持异步接口,允许其与多种控制器和处理器无缝连接。此外,该器件具有低功耗设计,支持待机模式以减少功耗,非常适合电池供电或低功耗系统使用。
该SRAM芯片的18位数据宽度(即128K x 18)使其适用于需要高带宽数据处理的应用,如图像处理、数据缓冲和高速缓存。其宽温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。此外,该芯片具有良好的抗干扰能力和数据保持特性,即使在低电压条件下也能保证数据完整性。
在封装方面,IS61NLP102418B-200B3LI采用165引脚BGA封装,提供良好的电气性能和机械稳定性。其封装尺寸为14mm x 18mm,适合高密度PCB设计。该芯片广泛应用于路由器、交换机、工业自动化设备、测试设备和嵌入式系统等高性能存储需求场景。
IS61NLP102418B-200B3LI SRAM芯片适用于多种高性能存储应用场景,包括网络设备(如路由器和交换机)、通信设备(如基站和无线接入点)、工业控制系统(如PLC和自动化控制器)、嵌入式系统(如高端单片机系统和实时操作系统)、测试与测量设备(如示波器和逻辑分析仪)、图像处理设备(如视频采集和处理模块)等。该芯片的高速访问能力、低功耗设计以及宽温范围特性,使其成为需要快速、稳定和可靠存储解决方案的理想选择。
IS61WV102418B-200B4I、IS61NLP102418B-200B4LI、CY7C1021DV33-200BZXC、IDT71V128SA100BQGI