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GA1206A1R8BXLBP31G 发布时间 时间:2025/6/30 14:19:56 查看 阅读:6

GA1206A1R8BXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能耗并提升系统性能。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计目标是为高频开关应用提供卓越的性能表现。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的权衡,该芯片能够在高频工作条件下保持较低的功耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:15A
  导通电阻Rds(on):1.8mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:47nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:LFPAK88-8

特性

GA1206A1R8BXLBP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,仅为1.8mΩ,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高额定电流能力,可支持高达15A的连续漏极电流,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,得益于优化的栅极电荷设计,能够适应高频工作条件。
  4. 小型化封装 LFPAK88-8,具有良好的散热性能,同时节省电路板空间。
  5. 稳定性出色,在宽温度范围内表现优异,适合各种严苛环境下的应用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器和工业电源。
  2. 电机驱动,用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
  3. DC-DC转换器,涵盖降压、升压及升降压拓扑结构。
  4. 可再生能源系统,如太阳能逆变器中的功率转换部分。
  5. 汽车电子设备,例如车载充电器和LED照明驱动电路。

替代型号

GA1206A1R8BXLBP32G, IRF7738, FDP5500

GA1206A1R8BXLBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-