5N60L-TF1-T 是一种高性能的 N 沃特 (N-Watt) 场效应晶体管 (MOSFET),属于 Power MOSFET 系列,广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用 TO-263 封装形式(表面贴装),具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。
5N60L-TF1-T 的设计使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及其他需要高效功率开关的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷(典型值):17nC
总功耗:117W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-263(DPAK 表面贴装)
5N60L-TF1-T 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,可支持高频应用,减少磁性元件体积并优化系统性能。
3. 较小的封装尺寸便于 PCB 布局设计,同时提供良好的散热性能。
4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端环境下的稳定性。
5. 内置保护功能(如反向恢复电荷较低)使得其在高频条件下表现优异。
该 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 同步整流电路以提升效率。
3. 电机控制与驱动应用。
4. 电池管理及充电系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 消费类电子产品中的保护和调节电路。
IRF540N, FQP8N60, BUK5N60-60E