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5N60L-TF1-T 发布时间 时间:2025/7/1 23:33:02 查看 阅读:25

5N60L-TF1-T 是一种高性能的 N 沃特 (N-Watt) 场效应晶体管 (MOSFET),属于 Power MOSFET 系列,广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用 TO-263 封装形式(表面贴装),具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。
  5N60L-TF1-T 的设计使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及其他需要高效功率开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8.9A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷(典型值):17nC
  总功耗:117W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263(DPAK 表面贴装)

特性

5N60L-TF1-T 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,可支持高频应用,减少磁性元件体积并优化系统性能。
  3. 较小的封装尺寸便于 PCB 布局设计,同时提供良好的散热性能。
  4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端环境下的稳定性。
  5. 内置保护功能(如反向恢复电荷较低)使得其在高频条件下表现优异。

应用

该 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 同步整流电路以提升效率。
  3. 电机控制与驱动应用。
  4. 电池管理及充电系统。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 消费类电子产品中的保护和调节电路。

替代型号

IRF540N, FQP8N60, BUK5N60-60E

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