时间：2025/8/14 4:44:44
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PJQ5428_R2_00001是一款由PanJit（强茂）公司制造的N沟道功率MOSFET。这种MOSFET专门设计用于需要高效率和高性能的应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关。其封装形式为DFN3x3，这是一种小型表面贴装封装，有助于节省PCB空间，并且具备良好的热性能，适用于高密度电子设计。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：13.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：DFN3x3
PJQ5428_R2_00001是一款高性能N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高电流承载能力，适用于各种功率管理应用。该器件的低Rds(on)特性确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备较高的栅极电压容限（±20V），使其在各种驱动条件下均能稳定工作，增强了其在苛刻环境下的可靠性。
其DFN3x3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有良好的热管理性能，有助于快速散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性。该封装还支持高密度布局，适用于现代电子设备对小型化、高性能的需求。
此外，该MOSFET的高耐用性和良好的热稳定性使其适用于各种电源转换和管理应用，例如电池供电设备、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统效率，同时减少额外的冷却需求。
该MOSFET广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、负载开关、LED照明驱动器以及各种便携式电子产品中。其优异的电气性能和紧凑的封装设计使其成为现代高性能电子设备中的理想选择。
SiSS14DN-T1-GE3, AO4406A, IRF7427
