HY3007B 时间：2025/9/2 2:14:52 阅读：14

HY3007B 是一款广泛应用于电源管理和功率控制领域的高性能MOS场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率传输能力。HY3007B通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统以及各种高电流应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：7mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

HY3007B采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件在高电流应用中表现出色，能够承受高达100A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其高达±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在复杂开关环境中的稳定性。
　　此外，HY3007B的封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度设计。该封装还提供了优异的焊接可靠性和便于自动化装配的特性。HY3007B具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于工业级应用。其工作温度范围从-55°C到150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。

应用

HY3007B广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括同步整流DC-DC降压或升压转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及工业控制设备。由于其高电流承载能力和低导通电阻，HY3007B特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。此外，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电机控制模块。