时间：2025/7/10 20:19:22
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ETQP3M220KVN 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的场景。
其封装形式为 TO-263（DPAK），具备良好的散热性能，能够满足高功率密度设计需求。
型号：ETQP3M220KVN
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：200 V
最大栅源电压 (VGS)：±20 V
连续漏极电流 (ID)：7 A
导通电阻 (RDS(on))：0.35 Ω（在 VGS = 10 V 时）
总功耗：40 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-263（DPAK）
ETQP3M220KVN 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，从而缩小整体电路尺寸。
3. 高击穿电压（200V），确保在高压环境下的可靠运行。
4. 紧凑且高效的 TO-263 封装，提供出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特点使 ETQP3M220KVN 成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域的理想选择。
该器件适用于广泛的功率转换和控制应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级元件。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
4. 电池充电管理电路中的负载开关。
5. 保护电路中的过流保护和短路保护功能实现。
ETQP3M220KVN 的高耐压能力和低导通电阻使其成为上述应用的理想解决方案。
IRFZ44N, FDP5570N
