IS61LV12816L-10TL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。该器件具有低功耗、高速度和高可靠性,适用于需要快速数据访问和稳定性能的应用场景。其组织结构为 128K x 16 位,提供总共 2Mbit 的存储容量。
存储容量:2Mbit
组织结构:128K x 16
工作电压(Vcc):3.3V ± 0.3V
访问时间:10ns
数据保持时间:无限(只要电源开启即可保持数据)
封装类型:TQFP-44
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输入/输出配置:三态输出
接口类型:同步或异步模式可选
1. IS61LV12816L 提供快速的访问时间(10ns),能够满足高性能计算的需求。
2. 采用 CMOS 工艺设计,显著降低了功耗水平,尤其在待机状态下几乎不消耗电流。
3. 支持同步或异步操作模式,用户可以根据实际需求灵活选择。
4. 具有自动功率节省功能,在未使用的存储区域会进入低功耗状态。
5. 三态输出缓冲器允许直接连接到多路复用总线系统中。
6. 引脚兼容其他同系列 SRAM 器件,便于升级和替换。
7. 广泛的工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业级应用环境。
该芯片广泛应用于需要高性能和低功耗的场合,例如:
1. 网络通信设备,如路由器、交换机等缓存数据。
2. 工业控制领域,用于暂存关键数据或程序运行中的临时变量。
3. 医疗设备中的图像处理及实时数据存储。
4. 消费类电子产品,例如打印机缓冲区、游戏机内存扩展等。
5. 嵌入式系统中的代码执行和数据缓存模块。
6. 测试测量仪器中作为快速数据采集的存储媒介。
IS61LV25616B-10BL, IS61WV12816B-10BL