时间：2025/8/16 17:44:24
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UMH3NH3 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或SOT-323），适合需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：5.5Ω @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
UMH3NH3 MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，使其在低功耗应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同电源条件下稳定工作。其封装形式适合表面贴装技术，便于自动化生产并节省PCB空间。此外，UMH3NH3具备良好的热稳定性和抗静电能力，可在各种环境下可靠运行。
该MOSFET的制造工艺采用了先进的沟槽技术，提高了导通性能并降低了开关损耗。其结构设计优化了电流分布，减少了热点的产生，从而提高了器件的长期可靠性。UMH3NH3还具备较高的击穿电压耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行。
UMH3NH3常用于便携式电子设备中的电源管理电路，如电池充电控制、DC-DC转换器和负载开关。此外，它也适用于传感器接口电路、LED驱动电路以及各类低功耗开关应用。由于其小型封装和高效能特性，该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备等现代电子产品中。
2N7002, BSS138, 2N3904
