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HHV1206R7681K102NSLJ 发布时间 时间:2025/3/25 9:46:02 查看 阅读:16

HHV1206R7681K102NSLJ 是一款高性能的高压功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高耐压的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合自动化生产。该型号以其优异的电气性能和稳定性在工业控制、消费电子以及汽车电子领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):76mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装类型:TO-Leadless (DSO) Surface Mount

特性

1. 高击穿电压,支持高达1200V的工作环境,适用于各种高压场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提升系统效率。
  3. 快速开关能力,优化了高频操作下的性能表现。
  4. 内置ESD保护机制,增强了产品的抗静电能力。
  5. 紧凑型无引脚封装设计,节省空间且便于高效散热。
  6. 宽广的工作温度范围,确保在极端条件下的稳定运行。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率管理单元。
  4. 汽车电子系统,例如车载充电器和电池管理系统。
  5. 工业自动化设备中的继电器和接触器替代方案。
  6. 高效照明解决方案,包括LED驱动器和镇流器。

替代型号

HHV1206R7681K102NLQJ, HHV1206R7681K102DSMJ

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