时间：2025/5/16 12:35:34
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IRF630D是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由Vishay公司生产。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等电路中。
IRF630D是IRF630的改进版本，主要针对更小封装设计和更高的可靠性进行了优化。它能够承受较高的漏源电压，并且具备较低的栅极电荷，这使得其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻：0.45Ω
栅源电压：±20V
功耗：110W
结温范围：-55℃至+175℃
IRF630D具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达200V的漏源电压。
2. 低导通电阻，减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，适合高频工作场景。
4. 小尺寸封装，便于PCB布局设计。
5. 热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定运行。
6. 栅极电荷低，驱动功率需求小，简化驱动电路设计。
IRF630D被广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流. 逆变器电路中的关键功率器件。
4. 电机驱动中的功率控制元件。
5. 各种负载切换和保护电路中的开关元件。
由于其出色的电气性能，IRF630D特别适合于需要高效能和小型化解决方案的应用场合。
IRF630, IRFZ44N, FQP18N20
