ITS41030F是一款由Infineon Technologies生产的高效能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于需要高电流和高效率的场景,例如电源管理、电机驱动、开关电源以及工业控制等领域。其采用TO-252封装形式,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合于对功耗和散热性能要求较高的应用环境。
作为一款N沟道增强型MOSFET,ITS41030F在设计中通常用作开关元件或负载驱动器,能够在高频条件下保持较低的能耗。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:87A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
总功耗:130W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达87A的连续漏极电流,满足大功率应用场景需求。
3. 快速开关特性,得益于较小的栅极电荷值,有助于减少开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围,适应极端环境下的可靠运行。
5. 小型化的TO-252封装形式,节省PCB空间的同时提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代化电子设备的要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换和调节。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和功率分配。
6. LED照明驱动电路中的恒流控制。
由于其高效的性能表现和广泛的适用性,这款MOSFET成为众多工程师在设计高性能功率管理电路时的理想选择。
IRFZ44N, FDP5800