时间：2025/9/1 16:51:19
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H5RS5223CFR11C 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度存储解决方案的一种。该型号为特定应用设计，具有较高的存储容量和稳定性，适合用于需要高速数据存取的电子设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，能够在较低的功耗下提供出色的性能。
类型：DRAM
容量：256MB
数据速率：166MHz
封装类型：TSOP
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：16位
封装尺寸：54-TSOP
引脚数：54
H5RS5223CFR11C 的一大特性是其高容量与高速性能的结合，使其适用于各种需要大容量内存和快速数据访问的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特性，同时在高频工作状态下仍能保持稳定性。
此外，该器件支持自动刷新（Auto Refresh）功能，有助于保持数据的完整性并延长数据存储时间。H5RS5223CFR11C 还支持多种操作模式，包括突发模式和页模式，从而提高数据传输效率。
其TSOP封装形式不仅有助于降低封装高度，还具备良好的热性能和电气性能，适用于空间有限的嵌入式系统和便携式设备。该芯片的工业级温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行，增加了其适用性。
H5RS5223CFR11C 常用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信设备以及消费类电子产品中。例如，在工业自动化设备中，它能够提供可靠的数据存储和快速的响应能力，确保系统稳定运行；在通信设备中，该芯片可作为高速缓存或主存储器，提高数据处理能力；此外，该芯片也适用于需要中等容量存储的便携式电子产品，如手持终端、智能仪表等。
由于其高可靠性和宽温度范围，H5RS5223CFR11C 也被广泛应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等。
H5RS5224CFR11C, HY57V281620FTP-6A, IS42S16256A166B
