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H5RS5223CFR11C 发布时间 时间:2025/9/1 16:51:19 查看 阅读:9

H5RS5223CFR11C 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度存储解决方案的一种。该型号为特定应用设计,具有较高的存储容量和稳定性,适合用于需要高速数据存取的电子设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,能够在较低的功耗下提供出色的性能。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据速率:166MHz
  封装类型:TSOP
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54-TSOP
  引脚数:54

特性

H5RS5223CFR11C 的一大特性是其高容量与高速性能的结合,使其适用于各种需要大容量内存和快速数据访问的系统。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗的特性,同时在高频工作状态下仍能保持稳定性。
  此外,该器件支持自动刷新(Auto Refresh)功能,有助于保持数据的完整性并延长数据存储时间。H5RS5223CFR11C 还支持多种操作模式,包括突发模式和页模式,从而提高数据传输效率。
  其TSOP封装形式不仅有助于降低封装高度,还具备良好的热性能和电气性能,适用于空间有限的嵌入式系统和便携式设备。该芯片的工业级温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行,增加了其适用性。

应用

H5RS5223CFR11C 常用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信设备以及消费类电子产品中。例如,在工业自动化设备中,它能够提供可靠的数据存储和快速的响应能力,确保系统稳定运行;在通信设备中,该芯片可作为高速缓存或主存储器,提高数据处理能力;此外,该芯片也适用于需要中等容量存储的便携式电子产品,如手持终端、智能仪表等。
  由于其高可靠性和宽温度范围,H5RS5223CFR11C 也被广泛应用于汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等。

替代型号

H5RS5224CFR11C, HY57V281620FTP-6A, IS42S16256A166B

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